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光刻工艺技术是怎么样的_光刻工艺步骤概述
来源：东方LED网
日期： 15:19:46
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随着科技的高速发展，如今越来越多的高新技术出现，并运用到了我们的日常生活当中，本文今天讲述的是光刻工艺，让大家了解下光刻工艺是怎么样的？光刻工艺其实是微机械技术里用得最频繁，最关键得技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上。想要知道更多，接着往下看。
如今越来越多的研发技术诞生，这些技术方便了人们的许多生活。小编今天就来讲讲光刻工艺技术是怎么样的？光刻工艺技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。&光刻工艺简介光刻工艺技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。&光刻工艺步骤光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning )光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。2、涂底（Priming)方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；&& b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120℃,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。以上就是关于光刻工艺的知识说明，希望对读者们能够有所帮助！
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手机登录：光刻胶及光刻工艺流程
& & & &又称为光致抗饰剂，它是一种对光敏感的有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。主要作用是将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；以及在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。& & & &光刻胶的成分有树脂、感光剂、溶剂、添加剂。主要的技术参数有：分辨率、对比度、敏感度、粘滞性、粘附性、抗蚀性、表面张力。& & & &光刻胶分为正胶和负胶，正胶分辨率高，对比度好。而负胶拥有良好的粘附能力和抗刻蚀能力、以及感光快。目前主要应用于模拟半导体、发光二极管、微电子机械系统、太阳能光伏、微流道和生物、光电子器件以及封装。& & & &光刻工艺流程：前处理——》涂胶——》软烘烤——》对准曝光——》PEB——》显影——》硬烘烤——》校验。& & & &目前整体来看，我国进口光刻胶占据国内87%的市场份额，自给率低。而国内光刻胶受益于半导体产业转移及国内电子化学品的迅速发展，需求增速远高于全球，国内从事光刻胶研发和生产的单位主要有苏州汶颢芯片科技有限公司和上海汶昌芯片科技有限公司。这些企业将有望率先实现技术突破，抓住历史发展机遇。标签:&nbsp&nbsp&nbsp&nbsp
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全部答案（共1个回答）
设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产
答: 全自动杀菌锅性能优势在哪里
答: 考试合格啊！
答: 当前世界上有四个最大的科学难题，全球各专业的科学家都在设法揭开大自然的这些秘密，如能解开这些谜团，那么人类的生活以及对世界的看法将发生根本的变化。
　　一、人体...
答: 　2011年二级建造师考试时间(部分省市时间不统一)
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