“R10和R11的存在不会对电路的输出阻抗产生影响吗”
这要从输出端负脉冲如何形成说起。
输入信号是宽度0.5us，周期10ms的正向脉冲。一个脉冲过去后，Q3关断，Q1Q2联接处为低电平(接近于地)，功率MOS管关断。此时电容C6经R7、R10充电。因为10ms对0.5us来说是很长的一段时间，故C6可以充电到将近400V。
输入信号脉冲到来时，功率MOS管导通，电容C6左端电位下降到接近于地。电容两端电压不能突变，故C6右端电位接近－400V。所以脉冲存在这段时间里，输出阻抗很低，接近MOS管导通电阻。R10和R11在负脉冲存在(也就是电容C6放电时间内)与负载并联，只会减少输出阻抗，不会增加输出阻抗。不过，R10和R11与MOS管导通电阻相比较，要大至少三个数量级，所以对输出阻抗影响非常小。
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根据产品或设计指标取最大负载接入，用带宽足够的存储示波器（如果脉冲连续且周期固定也可用常规示波器）记录电压峰值。再取一个小负载，比如可取最大负载的1/10，同样得到一个电压，而输出级可以看成是一个恒压源串联一个电阻即输出阻抗，这时就能根据前后两次测量值计算出输出阻抗了。两次测量的电压值差别越大，结果越精确。不过因电压较高，又是窄脉冲，在内阻不大的情况下确实如maychang所说的测量会比较困难。
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该电路在负脉冲持续期间，输出阻抗很低，但脉冲过后该电路输出阻抗相当大。脉冲过后，MOS管关断，电容C6由电阻R7和R10充电。此时二极管D3D5反向，影响输出阻抗的是电阻R11和R14以及那四个反并联的二极管。反并联的二极管中必有一组导通，内阻比较小，通常可以忽略。所以影响输出阻抗的是R11和R14。
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