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三极体中，Ube=0.7V，Uce=0.3V，但是电位不应该是c>b>e么，求大神解释【饱和】【导通】【放大】的区别

所谓导通，就是指在三极体的CE之间出现比较大的电流。导通可以有两种形式，饱和导通或者是放大导通。饱和和放大的区别主要是在基极电流和集电极电流的关系上，三极体最主要的一个特性就是电流放大特性，即用一个小电流（基极电流）可以去控制一个大电流（集电极电流），这个控制是线性的，即比例常数不变（也就是电流放大系数贝塔B）；不过在现实中，集电极电流总有一个上限，当基极电流达到一定程度后，集电极电流不再按原来的比例常数变化了，这种状态称为饱和。
如果要分析：你可以按教科书的规律来，即发射结正偏和集电结反偏就是放大，两个都正偏就是饱和，现在你的资料，UBE是0.7V，假定E是0V，那B就是0.7V，而UCE是0.3V，这样C极相当于0.3V，两者一合计，集电结和发射结均正偏，自然是饱和无疑（你的电压高低顺序是错误的，以你的引数，应该是B>C>E），既然是饱和，就意味着CE之间还是存在电流通路，当然导通了。
你的后面那个算式更是错误，UBC是指B和C之间的电压差，B是0.7V，C是0.3V，所以UBC是0.4V，这种电压表示法是两个点的电压差值，而不是两个PN接面的电压差值。

为什么三极体饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V，从内部原理解释一下

Ube=0.7V不是矽三极体饱和时的特征，其实矽三极体只要工作，无论饱和与否，Ube总是接近于0.7V。这个0.7V与圆周率π=3.14一样，基本上是一个常数。如果从内部原理解释，那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正，结果形成扩散势。扩散势的数值与材料和掺杂浓度有关。对于矽，掺杂浓度百万分之一时，扩散势就是大约0.7V。扩散势计算，可以阅读半导体物理学著作及类比电子技术教科书。pn结即三极体发射结导通后，0.7V扩散势就作为正向压降即发射结压降体现出来。
电晶体集电极电流首先降落在电阻Rc或者Re上，其次才落在电晶体集电极与发射极上。由于Ic或Rc比较大，Rc压降比较大，结果电晶体集电极与发射极压降很小了，就是电晶体饱和。饱和时Uce不应总是0.3V。小功率管也可能是0.1V，大功率管还可能是1V。

当三极体来构成非闸电路，饱和导通时，电压Uce怎么只有0.3V？

你测出的电压是对的，如果电流不是非常大，对于矽三极体，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极体，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右。
如果电流很大，由于三极体内部导通后有一个小电阻，压降会增大，Uce可以打到0.7V左右。

当三极体导通时Ube＝0.7V，这个Ube指哪里的电压

当三极体导通时Ube＝0.7V，这个Ube电压指的是
三极体的基极与发射极的电压。

用一个NPN三极体做开关用 当其饱和导通时，它的基极电压Vbe是多少？是不是也应该是0.7V呢？

是不是三极体b极接通时他要消耗0.7v电压才能导通，导通后c e之间是不是电压也相差0.7v？

概念不正确！晶体三极体有两种工作状态。一种是工作于开关状态:饱和(开)，截止(关)。另一种是工作于放大状态:首先建立三极体的静态工作点:一定的基极电流和相应的集电极电流。再引人输入讯号，产生放大后的输出讯号。be极电压降约0.7伏(锗管0.1--0.3伏)，基极电流大时压降微升，基极电流小时微降。集电极电流与基极电流的比值恒定，等于电流放大倍数β。至于ce之间的压降是随意的，受集电极电流在集电极电阻上的压降摆布。

不可以。rbe是动态电阻，不能用直流电压（0.7V）去求，应该用动态电压除以动态电流：

三极体的放大与饱和区别？

放大区里面输出电流和输入控制电流有一个线性变化的关系，当你输入控制电流加大或减小时，输出会立马跟着增大或减小，但是在饱和区，这种线性关系不复存在，你加大控制电流但是输出电流不变，减小控制电流输出电流也不会立马减小，只有当你的控制电流减小到放大区里面，输出电流才会跟着减小，这样迟钝的反应自然就减慢了开关关闭的时间，而且饱和深度越深，关闭所要的延迟就越长，开关的速度就越慢，在高速开关里面不可取。

求三极体饱和、放大和截止的公式及解释

三极体放大一倍电压电路 从0.3v到0.8v之间跳动的 电压放大到0.7v到1.0v之间跳动

楼上的回答可能有点问题，　他的输入0.8 - 0.3 = 0.5V，而输出为1.0 - 0.7 = 0.3V，实际上并不是要放大讯号，只是直流电平要平移一下，输入静态中点为0.55V，输出中点为0.85V，如果输入讯号内阻可能，这个要求可以不用三极体放大。