名不副实 2022-10-21 10:15:27
说起东风的“科技跃迁”
那就必须得提到智新半导体IGBT！
它打破了国外IGBT产业垄断
让东风实现了
对IGBT这一新能源汽车芯片的自主掌控
从自主研发
到顺利实现IGBT产品量产
再到产品的不断升级
东风创新事业的格局也进一步打开了
今天，小编就给大家好好说道说道IGBT
再带大家去生产现场看看
那么，有的小伙伴可能就要问啦~
IGBT到底是啥？
据小编之前的了解
它的全称是绝缘栅双极型晶体管
它还有英文名，叫
Insulated Gate Bipolar Transistor
作为一种高效能的半导体元件
它一般应用在
不间断电源UPS和变频器上
是不是字都认识
但连起来就看不懂了？
虽然看不懂，但就是感觉很厉害
没关系，咱们再来深入一下！
实际上，它就是一种半导体元件
随处可见~比如↓ ↓ ↓
我们家里的电器，小区里的发电设备
我们乘坐的高铁
当然，也包括我们的新能源汽车！
那么它在新能源汽车上怎么用？
IGBT，可以说是
新能源汽车电控系统的核心组成部分
如果将发动机比作燃油车的“心脏”
那么IGBT就是新能源车的“心脏”
作为“心脏”
它能直接控制全车的
交直流转换、功率调控等核心指标
简单来说，IGBT就像一道桥梁
将新能源车上的能源联系在一起
新能源车的能源
要么是纯电，要么是混合动力能源
无论哪一种
电，都是“不易驾驭”的能量
这时，IGBT就要发挥作用了
它就好比一个开关
将电流分为“开”和“关”两种状态
分别对应着数字世界里的“1”和“0”
那么新能源车系统
就可以通过处理这两个数字
来控制电的使用
那么再来说说怎么控制~
当汽车的电能从电池出发
一路小跑，来到电控系统报到
电控系统中的IGBT
就立即根据驾驶者的需要
开始思考是开闸放电，还是关闸休息
没想到竟有
这样安全环保、高效低能耗的元件
可是它技术壁垒高，设计工艺复杂
要实现产量化可不容易哦
但是在东风，我们与中车合作
共同打造的智新半导体IGBT生产线
已经在去年就正式投入量产了
这一次
东风打破了国外IGBT产业垄断
实现了自主掌控
再来跟着小编去现场看看
IGBT是怎么生产出来的~
▲走进生产现场，这是仓库到生产线的全自动物料分发系统。
▲自动导引小车AGV智能运输物料。
▲IGBT晶圆，上面被分割成一颗颗的正是IGBT芯片。贴片设备会将晶圆上的IGBT芯片自动取下来，放置到固定的衬板上，形成IGBT模块的电路。
▲X射线检测，用来检查IGBT模块内部的焊接效果，有无空洞等缺陷。厉害的是，目前东风的半导体的检测标准为单个缺陷面积不超过1%，全球最严格。
▲引线键合环节，机器人通过图像识别技术定位，然后使用超声波引线键合技术将芯片与芯片之间的电路自动连接完整。
▲引线键合之后，开始显微镜检查。作业员正在检查效果，确认产品的制造过程是否完美。
▲全自动高温阻断测试，是在高温高压情况下考验IGBT的可靠性，整个测试过程全部由数字化系统智能控制，所有作业由机器人自动完成！
▲作业员在做IGBT下线前的最后检查和标签扫描确认，完成。
跟着这一整套流程下来
可真是长见识啦
现在，IGBT生产车间整体运行稳定
可实现年产能为30万只
而且市场反响也很不错
部分产品已经搭载到岚图、风神等车型上
未来，当二期项目稳步落地
整体产能实现120万只年产量
可以全力支持东风创新事业发展
铸就“东方风起”计划
100万辆新能源车的未来
,
免责声明：本文仅代表文章作者的个人观点，与本站无关。其原创性、真实性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容文字的真实性、完整性和原创性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并自行核实相关内容。
}

石家庄祁创电子科技有限公司为您介绍成都MOS驱动芯片【Ws6UuQ】
成都MOS驱动芯片
如右下图所示，开通T1和T3时，E1和E3的电位都会往上升，最终到达正母线电压，当T3开通速度比T1略快时，E3的电位会比E1高，就能产生图中所示的发射极环流。由于发射极电阻的存在，Vge1会被叠加了一个正的电压，因此T1的开通速度会被加速，同理，Vge3被叠加了负的电压，T3的开通速度会被减慢。而这个变化趋势于之前的假设正好相反，可见，这是一个负反馈的作用。这可以在一定程度上对开通电流进行均流收敛。
成都MOS驱动芯片。IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ，完成慢关断，实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE
有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。伴随着科技的飞速发展，IGBT模块也在不断的被应用到各行各业当中。IGBT模块生产商石家庄祁创,热忱为广大新老客户提供优质的产品和快捷的供货服务，质量保证，价格优惠。
通过降低或限制高额故障电流，特别是在短路和低阻抗的对地短路情况下，IGBT模块可以获得更好的保护。在短路Ⅱ情形下，高dUCE/dt引起栅极发射极电压上升，进而产生一个动态的短路过电流。短路电流的幅度可以通过栅极发射极电压的钳位来降低。除了限制动态短路过电流外，稳态的短路电流也可以通过减小栅极发射极电压的方法来减小。这一方法将减小短路期间IGBT功率模块的损耗，同时由于需关断的短路电流较小，过电压也随之降低，其原理如下图所示。这一保护技术可以将IGBT功率模块的稳态短路电流限制在额定电流的3倍左右。
成都MOS驱动芯片。IGBT保护的目的是保证IGBT模块、电路、设备安全可靠运行，在各种非正常工作状态下不损坏。IGBT保护应首先从IGBT变流器系统总体设计上考虑。数字化驱动的另一个优势在于其扩展性较强。通常情况下，在IGBT进入故障状态后，驱动器需要将控制信号反馈给主控端，而不同应用场所的反馈信号的定义方式是不同的，因此一般驱动器在这一点上很难做到兼容。而数字化驱动的好处在于其可编程性，只需要在现有硬件电路的基础上对其控制程序稍作修改，可以实现相应的目标。
在短路电流出现时，为了避免关断电流的di/dt过大形成过电压，导致IGBT锁定无效和损坏，以及为了降低电磁干扰，通常采用软降栅压和软关断综合保护技术。在检测到过电流信号后首先是进入降栅保护程序，以降低故障电流的幅值，延长IGBT的短路承受时间。在降栅压动作后，设定一个固定延迟时间，用以判断故障电流的真实性。如在延迟时间内故障消失，则栅压自动恢复；如故障仍然存在，则进入软关断程序，使栅压降至0V以下，关断IGBT的驱动信号。
IGBT过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt，并且这种尖峰很难被吸收掉。IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。IGBT是MOSFET管与双极晶体管的复合器件，既有MOSFET易驱动的优点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点，其频率特性介于MOSFET管与功率晶体管之间，可正常工作于数十千赫兹的频率范围内。
IGBT硬并联的特点分析，IGBT模块之间并联在一起，不需要均流电抗，比较紧凑和经济。 每个IGBT有独立的驱动器；IGBT的连接形式接近于硬并联，两桥臂交流输出端通过铜排直接相连；可能存在发射极环流，但不同的IGBT门极回路间不存在耦合，IGBT的开关行为很独立；对IGBT个体的一致性要求降低；对直流母排杂散电感对称性要求降低；对Vge信号的同步性要求非常高；
对Vge驱动电源电压一致性要求非常高。
驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IG2BT的保护功能。IGBT的控制、
驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配,另外,在未采取适当的防静电措施情况下,G—E断不能开路。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，可在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
IGBT短路测试方法详解，在开发电力电子装置的过程中，我们需要做很多的测试，但是短路测试常常容易被忽略，或者虽然对装置实施了短路测试，但是实际上并不彻底和充分。下面2种情况比较常见：1. 没有实施短路测试，a. 因为觉得这个实验风险太大，容易炸管子，损失太大；b. 觉得短路时电流极大，很恐怖；2.
实施了短路测试，但测试标准比较简单，对短路行为的细节没有进行观察本文将详细介绍正确的，完整的短路测试方法，及判断标准。
}

登录
CHANBAEK
2023-02-16 232分享海报
模拟技术
1826人已加入
描述
1、IGBT的概念
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
2、IGBT的结构
下图为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain
injector)，它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。
3、IGBT的工作原理
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
所以整个过程就很简单：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导通，电流从CE流过。
当栅极G为低电平时，NMOS截止，所以PNP的CE截止，没有电流流过。
4、IGBT的优点
IGBT晶体管具有更高的电压和电流处理能力；极高的输入阻抗；可以使用非常低的电压切换非常高的电流；电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗；具有非常低的导通电阻；具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸；可以使用低控制电压切换高电流电平。
综合整理自百度百科、Problem Based Learning、亿佰特物联网应用
打开APP阅读更多精彩内容登录/注册}