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　　no2是酸性氧化物吗

　　no2不是酸性氧化物，酸性氧化物要求是与碱反应生成盐和水的化合物，且反应不能为氧化还原反应。NO2与NaOH能发生氧化还原反应，所以NO2不是酸性氧化物。

　　凡能跟碱起反应，生成盐和水的氧化物，叫做酸性氧化物。它们多数是非金属氧化物，也有一些是金属高价的氧化物。主要的酸性氧化物有：CO2、SO2、SO3、P2O5、SiO2等。其中除SiO2外，都能直接和水反应，生成对应的酸。取两支试管，各放入2mL水，滴入几滴紫色石蕊试液。一管中放入少许五氧化二磷，另一管中放入少许二氧化硅（纯石英砂）。振荡，放入五氧化二磷的试管中，液体变成红色；放入二氧化硅的试管中，二氧化硅粉末沉底，液体仍为紫色。

　　拓展阅读：no2是什么气体

　　no2是指高温下棕红色有毒气体。在常温下（0到21.5摄氏度）二氧化氮与四氧化二氮混合而共存。有毒、有刺激性。溶于浓硝酸中而生成发烟硝酸。能叠合成四氧化二氮。与水作用生成硝酸和一氧化氮。与碱作用生成硝酸盐。能与许多有机化合物起激烈反应。

　　1、与水反应生成相应的酸（除了二氧化硅SiO2，它不与水反应）；

　　2、与碱反应只生成一种盐和水；

　　3、与碱性氧化物反应。

概述 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 7.1 二氧化硅的性质、用途 在半导体材料硅的所有优点当中，SiO2的极易生成是最大的有点之一。当硅表面暴露在氧气当中时，就会形成SiO2。 结构、性质 SiO2膜的原子结构如图所示。它是由一个硅原子被4个氧样原子包围着的四面体单元组成的。是一种无定型的玻璃状结构，具体地说是一种近程有序的网状结构，没有长程有序的晶格周期。 尽管硅是一种半导体，但SiO2是一种绝缘材料。是硅器件制造中得到广泛应用的一种膜层，因为SiO2既可以用来处理硅表面，又可以作为掺杂的阻挡层、表面绝缘层及作为器件中的绝缘部分。 7.1.1表面钝化 无论采取什么样的措施，器件受污染的影响总是不可避免的。SiO2层在防止硅器件被污染方面起到了一个非常重要的作用。原因是SiO2密度非常高、非常硬，因此硅表面的SiO2层可以扮演一个污染阻挡层的角色。 另一方面，SiO2对器件的保护是原于其化学特性。因为在制造过程中，无论工作室多么洁净，总有一些电特性活跃的污染物最终会 进入或落在硅片表面，在氧化过程中， 污染物在表面形成新的氧化层，是污染物远离了电子活性的硅表面。也就是说污 染物被禁锢在二氧化硅 膜中，从而减小了污染 物对器件的影响。 7.1.2 掺杂阻挡层 器件制造过程中的掺杂是定域（有选择的区域）掺杂，那么不需要 掺杂的区域就必须进行 保护而不被掺杂。如图 所示。 实现掩蔽扩散的条件 二氧化硅的早期研究主要是作为实现定域扩散的掩蔽膜作用，如上图所示，在杂质向Si中扩散的同时，也要向SiO2层中扩散，设在Si中的扩散深度为 在SiO2层中的扩散深度为 式中： 扩散时间， 、 分别表示杂质在SiO2和Si中的扩散系数，显然要实现掩蔽扩散的条件是 ，即当杂质在硅中的扩散深度达到 时杂质在SiO2中的扩散深度应 所以， 氧化层厚度 由此可见，实现掩蔽扩散要求的SiO2厚度与杂质在SiO2和Si中的扩散系数有关，原则上讲，只要 能满足上式不等式，就可起到杂质扩散的掩蔽作用，但实际上只有那些 的杂质，用SiO2掩蔽才有实用价值，否则所需的SiO2厚度就很厚，既难于制备，又不利于光刻。 但是，只要按照 的条件选择杂质种类，就可实现掩蔽扩散的作用。研究发现，B、P在SiO2中的扩散系数比在Si中的扩散系数小，所以。常常选择B、P 作为扩散的杂质种类。而对于Ga、Al等杂质，情况则相反。 值得注意的是，Au虽然在SiO2中的扩散系数很小，但由于在Si中的扩散系数太大，这样以来横向扩散作用也大，所以也不能选用。 二氧化硅另外一个优点是在所有介质膜中它的热膨胀系数与硅最接近。 7.1.3 表面绝缘层 SiO2作为绝缘层也是器件工艺的一个重要组成部分。作为绝缘层要求必须是连续的，膜中间不能有空洞或孔存在。另外要求必须有一定的厚度，绝大多数晶园表面被覆盖了一层足够厚的氧化层来防止从 金属层产生的感应，这 时的SiO2称为场氧化物。 如图所示。 7.1.4 器件绝缘体 从另一个角度讲，感应现象就是MOS技术，在一个MOS三极管中，栅极区会长一层薄的二氧化硅（见图）。这时的SiO2起的是介电质的作用，不仅厚度而且质量都要求非常严格。 除此之外， SiO2也可用来做硅表面和导电表面之间形成的电容所需的介电质（见图）。 7.1.5 器件氧化物的厚度 应用在硅材料器件中的二氧化硅随着作用的不同其厚度差别是很大的，薄的氧化层主要是MOS器件里的栅极，厚的氧化层主要用于场氧化层，下面的表列出了不同厚度范围及其相对应的主要用途。 7.2 热氧化机理 半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热生长氧化法得到的，也就是让硅片（晶园）在高温下，与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜的方法，其化学反应式如下： Si(固态)+O2(气态) SiO2(固态) 化学反应非常简单，但氧化几理并非如此，因为一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子通过

性状：具有多微孔结构、比表面积高、机械强度高、二氧化硅含量高的透明或半透明的微小颗粒。

1.具有较高的耐火、耐高温、热膨胀系数小、高度绝缘、耐腐蚀、压电效应、谐振效应以及其独特的光学特性。
2.避免的物料：卤素。加热固化成硅胶。不燃、不爆、无毒。在胶体二氧化硅粒子表面的离子为水合型，因水分子覆盖而有亲水性。与有机物相溶性不好，对于用醇、丙酮等与水任意比例混合成的有机溶剂有相溶性。溶于氢氟酸和氢氧化钠溶液。不溶于其他无机酸。
3.无毒、无臭。热稳定性好、耐酸性好（除氢氟酸外）。溶于浓苛性钠。对水蒸气及其他气体和溶剂具有强烈的吸附作用。

1.用作苯酐、苯胺、顺丁烯二酸酐、三聚氰胺、顺丁橡胶、丙烯腈等重要石油化工产品的催化剂载体。也广泛用于精制石油化工产品、脱除芳烃、对某些有机气体及液体的选择性吸附分离。还可作为脱除水中多价有害元素的离子交换剂。以及用于材料、器械等物品的干燥贮存和高纯气体的除水精制。
2.是生产石英砂的原料。石英砂是重要的工业矿物原料，广泛用于玻璃、铸造、冶金、建筑、化工、塑料、橡胶、磨料、陶瓷等领域。用来制造玻璃，耐火材料，冶炼硅铁、冶金熔剂及建筑工业中的耐酸混凝土及耐酸砂浆等。
3.石英玻璃是良好的耐酸材料、极好的电绝缘材料、透明的耐火材料，是新型电光源、制造集成电路的最佳材料。

1.离子交换法将稀释的水玻璃过滤除杂质后经阳离子交换，阴离子交换，调节ｐＨ值，经蒸发或超滤浓缩，制得硅溶胶。

贮存在阴凉干燥库房中，严防曝晒和高温

吸入二氧化硅粉尘，对身体造成损害，可引起矽肺。工作人员应作好防护。

通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。

1、 疏水参数计算参考值（XlogP）：
2、 氢键供体数量：0
3、 氢键受体数量：2
4、 可旋转化学键数量：0
5、 互变异构体数量：
6、 拓扑分子极性表面积（TPSA）；34.1
10、 同位素原子数量：0
11、 确定原子立构中心数量：0
12、 不确定原子立构中心数量：0
13、 确定化学键立构中心数量：0
14、 不确定化学键立构中心数量：0
15、 共价键单元数量：1