，则室温下该区的平衡多子 浓度P po

与平衡少子浓度 n po 分别为（ ）和（

2、 在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（ ）电荷， N 区一侧带（ ）电荷。内建 电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。

3、 当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为 （

）。由此方程可以看出，

掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。

4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势V bi 就越（），反向饱和电流I o 就越（）,势垒电容C T 就越（），雪崩击穿电 压就越（ ）。

5、 硅突变结内建电势 V bi 可表为（

），在室温下的典型值为（ ）伏

6、 当对 PN 结外加正向电压时， 其势垒区宽度会 （

），势垒区的势垒高度会 （ ）。

7、 当对 PN 结外加反向电压时， 其势垒区宽度会 （

），势垒区的势垒高度会 （

8、 在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度

n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为

耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（

9、 当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子 浓度

（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）。

1o 、 PN 结的正向电流由（ 电流三部

大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN 结的反向电流

很小，是因为反向电流的电荷来源是（

12、 当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边

（ ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（

PN 结扩散电流的表达式为 （ ）。

这个表达式在正向电压下可简 化为（

），在反向电压下可简化为（

14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主。

15、薄基区二极管是指 PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（

向电流越大，则扩散电容就越（ ）；少子寿命越长，则扩散电容就越（ ）。

）电流、（ ）电流和（ ）

）电流为主；当电压较高时，以 薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（

16、 小注入条件是指注入某区边界附近的 浓度，因此该区总的多子浓度中的（ 17、 大注入条件是指注入某区边界附近的 浓度，因此该区总的多子浓度中的（

18、 势垒电容反映的是 PN 结的（ 结的

掺杂浓度越高，则势垒电容就越（ ）；

）浓度远小于该区的 （ ） ）多子浓度可以忽略。 （ ）浓度远大于该区的 （

）电荷随外加电压的变化率。 PN 外

加反向电压越高，则势垒电容就越（

19、扩散电容反映的是 PN 结的（

）电荷随外加电压的变化率。正

PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反。

1、采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

2、特性：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

3、发展过程：1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料，1940年，用真空熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结，发现了Si中杂质元素的分凝现象，以及施主和受主杂质的补偿作用。