一、试写出下列实验技术缩写词嘚中文名称
NMR核磁共振,AFM原子力显微镜HRTEM高分辨率的透射电镜,EDX能量弥散X射线谱STM扫描隧道显微镜,TGA热重分析CV循环伏安法,FTIR傅里叶转换嘚红外光谱LC-MS液相色谱-质谱分析,LSV线性扫描伏安法DSC差示扫描量热法,XRD X射线粉末衍射RAMAN拉曼光谱,CVD 化学气相沉积SEM扫描电子显微镜,SAED选区電子衍射
二、试从成份分析、结构测定以及形貌观察三个方面简述微纳
结构功能材料表征的的基本方法
成分分析:紫外光谱,红外光谱核磁共振谱、质谱(包括色质联谱),MS(HPLC-MS)、x射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)
结构测定:XRD、紫外可见(UV-Vis)、红外(IR)、拉曼光谱(Raman)
形貌观察:原子力显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、光学显微镜
三、比较透射电镜与扫描电子显微镜的异同点?
扫描电子显微鏡和透射电子显微镜均是以高压下加速的电子束做光源轰击样品发射的电子束与样品相互作用,对产生的各物理信号分析并转换成电信號放大显示,根据电信号可以反映样品的一定结构和形貌信息
透射电镜与扫描电镜成像原理完全不同,透射电镜利用成像电磁透射成潒并一次成像;而扫描电镜的成像则不需要成像透射,其图像是按一定时间空间顺序逐点扫描并在镜体外显像管上显示。
和透射电镜楿比扫描电镜具有以下特点:
1.能够直接观察样品表面的结构,样品的尺寸可大至120mm*80mm*50mm
2.样品制作过程简单不用切成薄片。
3.样品可以在样品室Φ作三度空间的平移和旋转因此,可以从各种角度对样品进行观察
4.景深大,图像富有立体感扫描电镜的景深较光学显微镜大几百倍,比透射电镜大几十倍
5.图像的放大范围广,分辨率也比较高可放大十几倍到几十万倍,它基本上包括了从放大镜、光学显微镜直到透射电镜的放大范围分辨率介于光学显微镜与透射电镜之间,可达3nm.
6.电子束对样品的损伤与污染程度较小
7.在观察形貌的同时,还可以利用從样品发出的其它信号作微区成分分析
四、某同学预进行石墨烯的合成及其在硫锂电池中的应用研
究,在开始研究前需要进行大量的文獻查阅请你提供一个理想的文献查询方案,并列举八种以上在硫锂电池研究
、试分析原子间力有哪些种类哪些对于原子力显微镜有贡献?
离子键、共价键、排斥力、金属探针的主要作用黏附力、范德华力
离子键是库仑力形成粒子之间吸引构成離子晶体结构;
共价键是两个原子的电子云相互重叠形成吸引力并且在几个埃内有较
排斥力来自库仑排斥力和泡利不相容原理形成的排斥力;
金属探针的主要作用黏附力来自自由共价电子形成的较强的金属探针的主要作用键。
范德华力其作用力较强,存在于各种原子和汾子之间有效距离为几
原子力显微镜中扫描探针和样品之间存在多种相互作用力,
、调研新型的探针技术
四探针法是材料学及半导体荇业电学表征较常用的方法
具有较高的测试精度。由厚块原理和薄层原理推导出计算公式
经厚度、边缘效应和测试温度的修正即可得到精確测量值据测试结构不同
探针法可分为直线形、方形、范德堡和改进四探针法
其中直线四探针法最为常
方形四探针多用于微区电阻测量。
四探针法是材料学及半导体行业电学表征的常用方法随着微电子器件尺度
新型纳米材料研究不断深入
须将探针间距控制到亚微米及其鉯下范畴
才能获得更高的空间分辨率和表面灵敏度。
近年来研究人员借助显微技术开发出
两类微观四点探针测试系统
即整体式微观四点探針和独立四点扫描隧道显微镜
随着现代微加工技术的发展
当前探针间距已缩小到几十纳米范围本
文综述了微观四点探针技术近年来的研究进展
主要包括测试理论、系统结构与
特别详述了涉及探针制备的方法、技术及所面临问题
微观四点探针研究的发展方向
并给出了一些具體建议。
半导体表面电学特性微观四点探针测
、原子力显微镜的快速扫描技术
与其他表面分析技术相比,
原子力显微镜具有一些独特的優点
获得具有原子力分辨级的样品表面三维图像,
并不需要特殊的样品制备技术
然而就原子力显微镜仪器本身来说,
由于它在轻敲模式下扫描速度较慢限制了
对动态过程的观测能力,这
制约了原子力显微镜在生物等其他领域的发展
:在进行样品成像时,轻敲模式下
嘚扫描速度常常只有每秒几
的图像成像需要几分钟
破坏样品表面的情况下提高
在轻敲模式下的成像速度,在研究生物表面
动态变化等实際应用中非常重要在轻敲模式下,多种因素制约着
一方面要动态地调节探针样品间的距离另一方面要使探针在谐
振频率下维持高频机械振动。影响
成像速度的因素主要有:
、探针高频振动的不稳定性;
、探针振幅至电压信号转换;
在使用轻敲模式下原子力显微镜对样品進行表面分析时
等都对扫描速度有很大影响。
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