高压气淬真空炉发展及其应用--《国外金属热处理》1997年02期
高压气淬真空炉发展及其应用
【摘要】：正 0 概述 为了找到对高速钢、模具钢、合金钢等材料热处理的最佳途径,国外于七十年代初期开始研制高压气淬真空炉,并于八十年代初期进行大面积推广应用,很快就赢得了热处理界的关注和欢迎。我国从八十年代开始,有关科研院所及真空炉主要制造厂家投入大量人力、物力,着手开发研究内、外循环的高压气淬真空炉,如首都航天机械公司(原首都机械厂)研制的3bar高压高流率真空炉和3bar外循环气淬真空炉,在一定程度上满足了工模具行业的需要,但由于国内在气淬技术上和材料方面与国外相比尚存在差距。因此大多数设备在工业应用中或多或少的呈现出了不稳定性。随
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TG155【正文快照】：
o概述 为了找到对高速钢、模具钢、合金钢等材料热处理的最佳途径,国外于七十年代初期开始研制高压气淬真空炉,并于八十年代初期进行大面积推广应用,很快就赢得了热处理界的关注和欢迎。我国从八十年代开始,有关科研院所及真空炉主要制造厂家投入大量人力、物力,着手开发研究
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京公网安备75号真空炉冷却方法--《国外金属热处理》1995年04期
真空炉冷却方法
【摘要】：正 该真空炉冷却方法特点:为了提高真空炉冷却速度和效率,使燃烧气体不会进入炉内,冷却分二阶段进行,先用惰性气体冷却,然后用非惰性气体冷却,为了冷却加热了的真空炉,送入惰性气体,例如He,Ar,然后,将非惰性气体送入真空炉至完全冷却,同时,非
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【分类号】：TG155.16【正文快照】：
该典空炉冷却方法特点:为了提高真空炉冷却速度租效率.使燃烧气}卞不会进八炉内,冷却分二阶段进行,光川价性气体冷却.然后川非悄性气体冷却为J’冷却加热I-的真空炉,送入惰性气体,例如H。,A:.然后,将作惰性气体送入真空炉至完全冷却,同时.1卜悄性’一以本一直供给到它不一与
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典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究
研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率.硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×104 Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系.结果显示:沉积反应活化能53.4kJ/mol.并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径.
YAO Xiao-hui
YAO Kui-hong
作者单位：
浙江理工大学材料工程中心,杭州,310018
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万方数据电子出版社真空化学气相沉积炉-西尼特（北京）电炉有限公司
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真空化学气相沉积炉
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&&&&※应用领域：CNT生产的CVD（真空化学气相沉积炉）是一种用于在基片上生成高质量TiC、SiC、SiO2、Si3N4&专用设备。淀积温度能够较高&(100～1200℃可调&)&，它已成为机械制造工业、冶金工业、光学工业、半导体工业等领域微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。※产品描述：CNT公司CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。※技术指标：&参&数&名&称 单&&&位 配置沉积类型
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提供服务支持 &低压真空烧结炉自动控制系统研究与设计--《重庆大学》2006年硕士论文
低压真空烧结炉自动控制系统研究与设计
【摘要】：
低压真空烧结炉是硬质合金烧结的关键设备。目前我国是世界上最大的硬质合金生产与消费国,但生产所需的烧结炉仍主要依赖进口,自主研制低压真空烧结炉及配套的控制系统无疑具有重要的应用价值。
在参与自贡硬质合金有限责任公司研制的DY-500型低压真空烧结炉自动控制系统设计和调试的基础上,本论文对实践工作进行了总结与提高。根据现场经验和深入分析,论文的主要内容有:
针对低压真空烧结炉,分析脱蜡、真空烧结、低压热等静压工艺原理,并论述了温度、真空度、压力三个主要因素对生产过程的影响。然后,在工艺过程分析基础上设计了低压真空烧结炉自动控制工艺流程。
根据低压真空烧结炉控制系统需求分析,选用了西门子公司的S7-300系列PLC作为主控制器对生产过程进行过程自动控制,以及研华工控机和Proface公司触摸屏作为监控计算机,构建了一个低压真空烧结炉两级计算机控制系统。
根据低压真空烧结炉控制系统I/O的统计和传感器的选型,对控制系统硬件进行了配置和选型,并采用STEP 7 V5.2软件编制了低压真空烧结炉PLC自动控制程序以及利用WinCC V6监控组态软件完成了监控计算机上的监控软件开发,大大改善炉子的整体性能。
针对温度是影响低压真空烧结产品质量的主要因素,以低压真空烧结炉的温度为对象,采用阶跃响应法建立了低压真空烧结炉电压-温度关系模型。
根据建立的温度实验模型,针对烧结过程中温度的非线性、滞后性、延迟性、参数不确定性等诸多不利特点,采用了积分分离PID控制算法与模糊推理进行PID参数在线自整定方法相结合的模糊自适应整定PID控制策略,并在实验室用MATLAB软件进行了算法仿真。结果证明模糊自适应整定PID控制较好地改善了烧结过程温度控制品质。
【关键词】：
【学位授予单位】：重庆大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2006【分类号】：TP273【目录】：
中文摘要4-5
英文摘要5-10
1 绪论10-14
1.1 课题研究背景10
1.2 国内外低压真空烧结炉研制10-11
1.3 存在的问题及研究现状11-13
1.3.1 存在的问题11-12
1.3.2 研究现状12-13
1.4 本文研究的主要内容13-14
2 低压真空烧结炉的相关工艺及控制要求14-26
2.1 低压真空烧结原理14-15
2.1.1 脱蜡14
2.1.2 真空烧结14-15
2.1.3 低压热等静压处理15
2.2 影响低压真空烧结的主要因素15-17
2.2.1 温度15-16
2.2.2 真空度16-17
2.2.3 压力17
2.3 低压真空烧结炉简介17-20
2.3.1 炉体结构18
2.3.2 脱蜡系统18
2.3.3 真空系统18
2.3.4 电控系统18-19
2.3.5 气控系统19
2.3.6 液压系统19
2.3.7 冷热水供给系统19-20
2.4 低压真空烧结炉控制系统分析20-24
2.4.1 工艺过程20-24
2.4.2 控制系统自动控制工艺流程图24
2.5 本章小结24-26
3 低压真空烧结炉控制系统设计26-52
3.1 低压真空烧结炉控制系统结构及选型26-29
3.1.1 控制系统组成结构26
3.1.2 低压真空烧结炉控制系统I/O 点统计26-27
3.1.3 温度、真空度、压力传感器选型27
3.1.4 控制系统硬件配置及选型27-28
3.1.5 控制系统网络拓朴结构28-29
3.2 技术指标及控制系统功能29-31
3.2.1 基本参数29
3.2.2 冷却水、电力、气体供应技术要求29-30
3.2.3 控制系统功能30-31
3.3 下位机软件设计31-41
3.3.1 57-300 系列PLC 概况31-33
3.3.2 57-300 PLC 硬件组态33-34
3.3.3 PLC 程序结构34-36
3.3.4 程序功能块36
3.3.5 主程序工作流程36-37
3.3.6 温度PID 控制程序功能块37-41
3.3.7 真空度、压力控制41
3.4 上位机监控软件设计41-47
3.4.1 WinCC 监控组态软件41-42
3.4.2 监控软件设计42-47
3.5 控制系统的通信47-50
3.5.1 PROFIBUS 现场总线47
3.5.2 MPI 通信47-48
3.5.3 控制系统两级通信实现48-50
3.6 本章小结50-52
4 低压真空烧结炉实验模型的研究52-62
4.1 工业过程常用建模方法52-55
4.2 阶跃响应测试法建模55-59
4.3 烧结炉动态特性实验测定和识别59-61
4.3.1 实验方案59
4.3.2 试验注意事项59-60
4.3.3 对象传递函数模型60
4.3.4 实验数据处理60-61
4.4 本章小结61-62
5 低压真空烧结炉温度控制策略研究62-78
5.1 温度控制系统基本方案62-63
5.2 常规PID 控制算法63-67
5.2.1 PID 控制原理63-64
5.2.2 改进型PID 控制算法64-66
5.2.3 PID 参数整定66-67
5.2.4 低压真空烧结炉温度控制策略的选择67
5.3 模糊控制原理67-69
5.4 模糊自适应整定PID 控制69-76
5.4.1 模糊自适应整定PID 控制概论69-70
5.4.2 模糊自适应整定PID 控制系统结构70-71
5.4.3 模糊控制器设计71-76
5.5 MATLAB 仿真76-77
5.6 本章小结77-78
6 结论与展望78-80
参考文献82-86
独创性声明87
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【引证文献】
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陈丽君;[D];重庆大学;2011年
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