1. 深耕功率器件专注创新，下游应用需求推动业绩持续向上1.1. 专注功率器件创新研发，科研成果落地有望推动公司快速发展深耕功率器件研发，技术多年积累成为核心竞争力。东微半导体成立于2008年，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利，已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。自设立以来，公司采用 Fabless 运营模式，专注于功率器件的研发与销售，基于多年的技术积累和研发投入推动业务持续发展。1）专注功率器件创新设计研发（2008-2013年）：2008年公司成立之初专注于半导体器件结构和工艺的创新和研发；2012年制造出世界上首个半浮栅晶体管（Semi-Floating Gate Transistor），可用于新型存储器，感光器件及功率器件等应用，该半浮栅器件技术论文并于2013年在美国《科学》期刊上正式发表。2）科研成果产业化落地，自主研发产品实现量产（2014-2018年）：2014 年开始量产国产化超级结系列高压大功率 MOSFET，成为国内工业级大功率系列高压 MOSFET 的供应商；2016 年 4 月，公司推出的 GreenMOS 系列超级结 MOSFET 产品，打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位；同年公司原创结构的 SFGMOS 实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。3) 下游应用需求增长+国产体替代，有望推动业绩快速增长（2019年-至今）：2018 年以来，公司下游由于产品终端需求增长、国产替代持续推进等因素，进一步提高了产品的竞争力，丰富了产品结构，有望带动业绩持续增长。1.2. 公司下游覆盖新能源新型需求，创新产品量产开启公司新一轮成长公司主要产品包含 MOSFET 与 IGBT，主要应用领域覆盖消费、工业、通信等。公司工业 级应用的收入主要来自各类工业及通信电源、新能源汽车充电桩和大功率照明电源领域等， 各期收入占比在主营业务收入的 50%左右。消费类应用的收入主要来自消费电子设备和显示器电源领域等，各期收入占比在主营业务收入 30%左右。2019 年公司成为主要工业客户供应商后，开始向消费类市场开拓。高压超级结 MOSFET：产品具备动态损耗低、可靠性高等优势。2020 年公司高压超级结 MOSFET 占整体营收比例 80.66%，为主营产品。高压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为 400V 以上的 MOSFET 功率器件，通常包括平面型及超级结型。公司的高压 MOSFET 产品全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。在节能减碳的大趋势下，电源系统正追求小型化，高效化，公司 GreenMOS 系列高压超级结产品基于其高效率低阻抗的特点，特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源、5G 等应用领域。中低压屏蔽栅 MOSFET：适用于低电压的应用场景，具备稳定性、可靠性等优势。2020 年公司中低压超级结 MOSFET 占整体营收比例 19.21%。中低压 MOSFET 功率器件通常指工作电压为 10V-300V 之间的 MOSFET 功率器件，更加适用于低电压的应用场景，应用于如电动工具、智能机器人、无人机等领域。公司中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列。其中，SFGMOS 产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。超级硅 MOSFET：自主研发对标氮化镓功率器件的创新型产品，目前已进入量产阶段。超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基 MOSFET 产品，目前已有 18 种型号进入量产。公司的超级硅 MOSFET 采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。TGBT：自主研发 IGBT 创新型器件结构，目前已进入量产阶段。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管 BJT 和 MOSFET 组成的复合全控型电压驱动式功率器件。公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，是一种区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，目前达到可量产水平的产品规格共有 18 种，工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。应用领域不断外拓，客户覆盖国内主流品牌。公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。作为国内高性能功率器件的优质供货商，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户，在汽车应用领域中，新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等，5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。1.3. 创始团队深耕功率半导体研发，产业基金参股看好公司未来发展产业股东+员工持股平台，助力公司业务持续发展。截至 2022 年 2 月，创始人王鹏飞直接持股 12.07%；创始人龚轶直接控股 9.96%。公司于 2018 年、2019 年对部分核心员工实施了三次股权激励，部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司权益。此外，产业基金看好公司发展前景，由大基金占股 45.09%的聚源聚芯产业基金目前占股 7.46%；由华为100%控股的哈勃投资于 2020 年 7 月 7 日入股，目前占总股本 4.94%。创始团队深耕半导体研发，具备海外背景经验丰富。公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系，公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方向具有丰富的研发经验，并对行业的技术发展具备创新能力，对行业未来发展趋势具有前瞻性。1.4. 下游应用需求增长+增加研发投入有望带动公司业绩持续向上受益于新能源、通信等应用需求增长，公司业务快速发展。公司 2018、2019、2020、2021 前三季度主营业务收入分别为 1.53 亿元、1.96 亿元、3.09 亿元以及 5.59 亿元，保持持续快速增长；归属于母公司净利润分别为 0.13 亿元、0.09 亿元、0.28 亿元以及 0.93 亿元。期间内公司业绩的持续增长主要系受下游终端需求增长、进口替代等因素影响。此外 2021 年 1-9 月公司营业收入分为 5.59 亿，同比增长为 183.11%，增长较快主要系受益于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求快速提升。产品结构持续优化，盈利能力稳步向上。公司 2018、2019、2020、2021 前三季度的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 28.62%，波动较大，主要系产品以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期供需关系变动对公司的影响较大，上游晶圆代工价格出现较大波动，导致公司综合毛利率相应发生较大波动。由于公司主要产品为工业级应用且对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用，其产品单价也较消费级应用的产品单价更高。2019 年中国 MOSFET 功率器件平均销售价格为 1.04 元/颗，全球价格为 1.25 元/颗。相比之下，公司 2019 年度功率器件成品的整体平均销售价格为 2.19 元/颗，其中高压超级结 MOSFET 器件成品平均销售价格为 2.36 元/颗。研发持续投入，技术型定位明确。2018、2019、2020、2021 前三季度公司研发支出分别为 0.16、0.12、0.16、0.29 亿元，研发投入整体保持稳定，随 2021 业绩攀升加大投入。截至 2021 年 6 月 30 日，公司已获授权的专利 53 项，包括境内专利 38 项，其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项，以及境外专利 15 项。公司在主要产品方面均已具备了国内领先的核心技术，并在核心技术的基础上实现了高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 产 品的量产与销售。公司的高压超级结 MOSFET 产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，使关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。2. 功率器件下游应用广泛，国产替代空间大2.1. 全球功率半导体市场空间近 460 亿美元，MOSFET应用地位显著2021 年全球功率半导体市场规模接近 460 亿美元。功率半导体分为功率 IC 和功率分立器件，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。同时，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，国内市场规模呈现稳健增长态势。根据 Omdia 数据，2019 年全球功率半导体行业规模达到 464 亿美元，较 2018 年下降 3.5%，整体市场依旧呈现一定波动性。所有品类中，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间大。功率器件中 MOSFET 占比超过 50%，开关速度快+损耗低主要应用在中小功率场景。MOSFET 全球市场份额达到 52.51%；IGBT 为第三大产品，2019 年全球市场份额达到 9.99%。中国市场中，MOSFET、IGBT 占2019年中国功率分立器件市场份额分别为53.98%与9.77%，总体比例与全球市场的情况基本一致。MOSFET 主要应用于中小功率场合如电脑电源、家用电器、工业电源、充电桩等，具有门极输入阻抗高、驱动功率小、电流关断能力强、开关速度快、开关损耗小等优点。2020 年全球 MOSFET 市场规模近 75 亿美元，随增新能源应用需求持续增长。根据 Omdia 的统计，2019 年全球 MOSFET 器件市场需求规模达到 84.20 亿美元，受疫情影响，2020 预计市场规模下降至 73.88 亿美元，但预计未来全球 MOSFET 器件市场将继续保持平稳回增。2019 年我国 MOSFET 器件市场规模为 33.42 亿美元，2017 年-2019 年复合年均增长率为 7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C 接口的持续渗透持续带动 MOSFET 器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET 器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2.2. MOSFET 国产替代空间大，国内企业在细分赛道具备优势MOSFET 全球市场主要被海外厂商垄断，国产替代空间大。2019 年全球 MOSFET 器件市场需求规模达到 84.20 亿美元，根据 Omdia，受疫情影响 2020 预计市场规模下降至 73.88 亿美元，但预计未来全球 MOSFET 器件市场将继续保持平稳回增。全球 MOSFET 器件市场基本被海外厂商占据，英飞凌排名第一，市场占有率达到 24.79%，前十大公司市场占有率达到 74.42%，海外厂商优势明显。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比 3.93%、3.09%和 1.80%。东微半导体突破海外垄断，在细分产品市场中处于国内领先。市场份额方面，公司在全球 MOSFET 功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。根据 Omdia 统计报告，2019 年全球 MOSFET 销售额为 84.20 亿美元，销售额排名前列的均为海外 MOSFET 厂商；在中国本土厂商中，2019 年公司的 MOSFET 销售收入位列第七位。公司为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是少数能在超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土公司之一，根据 Omdia，东微半导体 2020 年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为 2.5 亿元，占全球高压超级结市场的份额为 3.8%，占中国高压超级结市场的份额经估算约为 8.6%。同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司包括新洁能和龙腾半导体，在该产品上 2019 年新洁能全球及中国市场占有率分别为 1.7%、3.8%；2020 年龙腾半导体高压超级结 MOSFET 全球、中国市场占有率分别为 0.7%、1.6%。与新洁能以及龙腾相比，东微半导体更加专注于高压超级结 MOSFET 产品，在此细分市场占有率方面具有一定的优势。3. 公司发挥功率器件创新技术优势，产品持续拓展3.1. 围绕功率器件进行技术储备，科研成果形成核心竞争力自主研发不断突破，形成功率半导体自主知识产权的核心技术。东微半导体作为一家技术驱动型企业基于多年的技术积累和研发投入，在功率半导体器件领域拥有了强大自主研发能力并形成了多项专利。截至 2021 年 6 月 30 日，公司已获授权的专利 53 项，包括境内专利 38 项，其中发明专利 37 项、实用新型专利 1 项，以及境外专利 15 项。2017 年，公司获得苏州市超级结功率器件工程技术研究中心的称号。公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS 系列中低压屏蔽栅MOSFET。同时，公司已开发了超级硅 MOSFET 及 TGBT 等先进功率器件产品。基于多年的研发投入和技术积累，公司在 MOSFET、IGBT、Hybrid-FET 等领域已形成一系列具有自主知识产权的核心技术。专注 MOSFET&IGBT 的研发，持续立项推进产品升级迭代。公司持续专注于研发高性能的功率半导体产品，以实现国产高性能功率器件的自主可控。除公司已形成并广泛应用于生产经营的核心技术之外，公司已在高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 IGBT 等领域形成一定的技术储备，主要包括适用于超级结 MOSFET 的深槽结构设计及工艺技术，与多层外延技术相比工艺难度更高，但性能更优；适用于中低压 MOSFET 的屏蔽栅结构设计和工艺技术，显著降低了器件导通电阻及开关损耗； IGBT 产品的创新性三栅结构的设计和工艺技术；以及MOSFET 功率器件在12 英寸晶圆制造平台上量产的设计及工艺技术。3.2. 超级结 MOSFET 受益汽车电动化、高性能充电器等需求快速发展。2020 年公司全球及中国高压超级结市场占有率分别为 3.8%、8.6%。同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司包括新洁能和龙腾半导体，2019 年新洁能全球及中国市场占有率分别为 1.7%、3.8%；2020 年龙腾半导体高压超级结 MOSFET 全球及中国市场占有率分别为 0.7%、1.6%，公司在该领域优势明确，领先身位明显。在技术水平方面，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。由于高压超级结产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间，发展空间大。下游高端市场需求旺盛，超级结 MOSFET 行业增速为普通硅基 MOSFET 的两倍左右。随着 5G 通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结 MOSFET 将拥有更快的市场增速。根据 Omdia 和 Yole 的统计及预测，2020 年与 2025 年硅基 MOSFET 的晶圆月出货量（折合 8 英寸）分别为 59.7 万片与 73.9 万片，年均复合增长为 4.3%。其中，超级结 MOSFET 由 23.8 万片增长至 35.1 万片，年均复合增长率为 8.1%，增长速度约为普通硅基 MOSFET 功率器件的两倍左右。公司高压 MOSFET 性能对标国际领先级水平。高压 MOSFET 产品性能的关键指标是导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM。电池模块的小型化趋势要求 MOSFET 的开关频率进一步提升，相同导通电阻下，栅极电荷越小则优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强，更加适合高频开关。以典型的 600v 电压平台、导通电阻为 0.16 Ω左右的高压 MOSFET 产品为例，国际品牌中英飞凌 G7 系列产品优值最小达到 2.95Ω·nC，公司的 GreenMOS 系列产品优值为 3.50Ω·nC 仅次于英飞凌，单从性能看处于国际先进水平。此外，公司的新型超级硅系列产品提升了优值，优值达到 2.53Ω·nC，优于全部国际品牌在相同平台下临近规格的优值，包括英飞凌最新一代产品。与国产品牌相比，公司的 GreenMOS 系列产品的优值处于明显优势地位，而超级硅系列产品的 Ron·Qg 优值则更为领先。3.3. 超级硅 MOSFET 性能对标氮化镓器件，有望开启第二增长曲线公司超级硅产品成本仅为相同效用氮化镓器件的 20%。公司的超级硅 MOSFET 设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。氮化镓高功率充电器由于其特殊的材料和生产工艺，价格也随之水涨船高，然而由于超级硅系列采用成熟的硅基材料，生产成本更低仅为同效率氮化镓器件的 20%，因此公司产品在该领域更具市场竞争力。体积价格兼顾， 性能超行业平均水平。在器件的于应用效率方面，东微的超级硅系列在软开关（ACF）拓扑中体现了优异的质量水平。以公司 65W 快充的 DEMO 为例，公司产品相比同样是 ACF 拓扑结构小米 10 氮化镓快充拥有更小体积和更高的功率密度，功率密度达 1.383W/cm3。同时，在更高频率 400KHz 条件下效率依然与 GaN 一致，体现此系列产品极低的驱动损耗和开关损耗，在成本和器件性能需求同样重要的今天，公司产品经过市场验证后预计会逐渐放量成为公司在消费领域的第二增长曲线。3.4. TGBT 、Hybrid-FET 等创新型器件持续推动产业化，未来发展可期创新型器件入局 IGBT 领域，自主研性能达国际领先水平。公司 Tri-gate 结构 IGBT 器件为公司原创知识产权创新型结构，具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了器件在导通时的内部载流分子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中功率分布更加均匀，运行更加稳定；独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度。IGBT 产品的重要指标是饱和压降 Vce,sat 和关闭损耗 Eoff。公司 650V 75A IGBT 产品 75A 规格下同业对比处于国际领先水准，Vce,sat 典型值为 1.65V 时，Eoff 为 0.85 mJ，相较国际竞品的 Eoff 更低，性能更优。全新结构器件结构待产业化，推动公司技术持续升级迭代。Hybrid-FET 器件及其工艺技术包括全新的器件结构以及电流动态调整技术。其器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。基于此核心技术，公司的 Hybrid-FET 器件兼具 IGBT、超级结 MOSFET 等功率器件的优点，目前已将该技术申请专利并开始产业化，为公司业务发展的重点方向之一。4. 报告总结公司的主要产品为 MOSFET 与 IGBT 等功率器件，其中高压超级结 MOSFET 产品贡献了大部分的营业收入；在应用领域方面，公司的产品以工业级应用为主，包括新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等，随着下游应用需求增长带动公司业绩增长，我们预计公司 2021~2023 年营收分别为 7.81、11.18、15.94 亿元，归母净利润分别为 1.43、2.02、3.01 亿元。可比公司方面，公司目前主要产品包含 MOSFET、IGBT 等，我们选取新洁能、斯达半导、宏微科技作为可比公司。根据 wind 一致性预测，22 年平均 PE 为 76.7 倍，给予公 司 75 倍 PE，对应 22 年 2.02 亿净利，市值为 151.2 亿元，对应目标价格 224.4 元/股。5. 风险提示下游需求波动风险：公司主要产品广泛应用于充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，行业规模增速放缓或出现下滑，可能会发生下游需求不达预期的风险。产品结构单一的风险：公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 产品，包括高压超级结 MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等如果下游市场短期内对 MOSFET 产品的需求增速放缓，产品结构单一可能会对公司盈利能力带来风险。新产品研发不及预期的风险：半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术更新迭代需要持续的资源投入，若公司未来研发资金投入不足，则可能发生新产品研发不及预期的风险。短期内股价波动风险：该股为次新股，流通股本较少，存在短期内股价大幅波动的风险。市场竞争风险：目前我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段，行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，则公司的行业地位、市场份额等可能受到不利影响。供应商集中度较高的风险：公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。弓中号：搜索老范说评}

在前面的文章里面，飞鲸投研对半导体产业链整体进行了一个简单的介绍。半导体产业链从上至下可分为设计、制造和封测三大环节，其中封测是集成电路产品制造的后道工序。今天呢，飞鲸投研来重点介绍一下封测行业。一、封测简介及技术发展历程1.封测介绍半导体封测是在晶圆设计、制造完成之后，对测试合格的晶圆进行封装检测得到独立芯片的过程。封测包含封装和测试两个环节。从价值占比看，集成电路封装环节价值占比约为80%-85%，测试环节价值占比约为15%-20%。在半导体产业链的设计和制造这两个环节中国都处于劣势，毕竟技术和资金壁垒高，先发优势明显，而封测的附加价值相对低，劳动密集度高，相应的进入壁垒就低，因此封测是国产化最高的环节。2.封测技术发展历程根据《中国半导体封装业的发展》，迄今为止全球集成电路封测行业可分为五个发展阶段，自第三阶段起的封装技术统称为先进封装技术。当前，中国封装企业大多以第一、第二阶段的传统封装技术为主，例如DiP、SOP等，产品定位中低端；全球封装业的主流技术术处于以CSP、BGA为主的第三阶段，并向以系统级封装（SiP）、倒装焊封装（FC）、芯片上制作凸点（Bumping）为代表的第四阶段和第五阶段封装技术迈进。先进封装技术更迎合集成电路微小化、复杂化和集成化的发展趋势，是封测产业未来的发展方向。半导体行业的发展遵循着摩尔定律，先进制程每两年更新一代，随着摩尔定律极限的逼近，工艺突破难度加大，各大厂商为追求低成本，高性能，将突破点聚焦在封测技术上，先进封测技术取代趋势显著。二、半导体封测市场概况2021年，我国集成电路产业销售额达到10458亿元，同比增长18%。其中，设计业销售额4519亿，同比增长19%；制造业销售额3176亿元，同比增长24%；封测业销售额2763亿元，同比增长10%。2019-2021年，封测规模的年复合增长率为8%。2021年前三季度，我国半导体自给率52%，距离国务院制定的“2025年芯片自给率达到70%”的目标还有较大空间。按是否焊线，封装工艺分为传统封装与先进封装。传统封装靠金属线实现芯片与外部电子元器件的电气连接，但密度太高会导致短路，所以封装面积与芯片面积比值较大。先进封装采用其他非金属线的方式进行连接，种类有很多，比如3D方式通过堆叠而非平面封装，缩小了封装面积与芯片面积的比值，并使单个封装里集成的元器件数量更多。提升了芯片的集成度，更适用于多元化的下游应用场景的需求。与传统封装相比，先进封装可以提升芯片的功能密度，缩短互联长度从而优化整体性能和功耗水平，实现系统级封装。2019-2015年，相比同期整体封装市场（CAGR=5%）和传统封装市场，全球先进封装市场CAGR约8%，增长更为显著，将成为全球封装市场的主要增量。国内封测厂商技术水平基本与海外同步，2020年中国大陆先进封装产值占全球比例从2015年的10.3%提升至2020年的14.8%。三、封测行业竞争情况按照技术储备、产品线、先进封装收入占比等指标，可将国内集成电路企业大致分为三个梯队：第一梯队：已实现了BGA、LGA和CSP稳定量产，具备部分或全部第四阶段封装技术量产能力，同时在第五阶段晶圆级封装领域进行技术储备或产业布局，国内企业以长电科技、通富微电和华天科技为代表。第二梯队：公司产品以第一、二阶段为主，并具备第三阶段技术储备，这类企业大多为国内区域性封测领先企业。第三梯队：公司产品主要为第一阶段通孔插装型封装，少量生产第二阶段表面贴装型封装产品，这类企业以众多小规模封测企业为主。集成电路封测为我国集成电路领域最具竞争力环节，共有三家企业营收位列全球前十。在集成电路设计和制造环节，我国和世界顶尖水平差距较大，特别是在制造领域最为薄弱，而封测环节则为我国集成电路三大领域最为强势的环节。2021年全球营收前十大封测厂商排名中，有三家企业位于中国大陆，分别为长电科技、通富微电和华天科技。我国A股中有多家上市公司处于半导体封测领域，包括长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、环旭电子等典型公司，其中晶方科技、环旭电子在部分封装领域优势明显。国内封测前三厂商不断扩大规模，相继进行并购，长电科技并购星科金朋、华天科技并购Unisem、通富微电并购AMD封测厂。四、总结在集成电路设计和制造环节，我国和世界顶尖水平差距较大，特别是在制造领域最为薄弱，而封测环节则为我国集成电路三大领域最为强势的环节。大家可以关注一下先进封装的相关公司，飞鲸投研后续会对其进行详细的介绍。飞鲸投研长期跟踪特色榜单：《成长50》：汇总各热点行业具备成长潜力的股票。更多精彩，请持续关注飞鲸投研。关注飞鲸投研，这里有您最关心的投资报告！来源：飞鲸投研}

作者：程诺，编辑：小市妹
功率半导体器件（也称电力电子器件），是在电力电子变换装置中可实现电能转换与电路控制的核心器件，主要在电子电路中发挥着整流、变频、变压、功率放大/开关和线路保护等作用。
按器件集成度划分，功率半导体当前可分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。其下游应用广泛，几乎可覆盖至所有电子制造领域，如电力传输、工业控制、消费电子和新能源等。
近年来，随着AI、数字经济、光伏、新能源汽车等产业的快速发展，功率半导体增量空间不断打开，市场规模持续增长。据Omdia数据统计，2021年，我国功率半导体市场规模为159亿美元，预计到2024年，市场规模有望达到190亿美元，发展前景广阔。
由于我国起步较晚，当前不管是从技术储备还是营收能力上均与国外企业有着一定差距，但得益于国家近年来制订的一系列政策的鼓励、支持与促进，国内功率半导体行业正驶入发展快速道。
1、闻泰科技
全球ODM+IDM行业龙头，成立于2006年，主要从事半导体、光学模组及通讯产品集成三大板块业务，拥有集半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试，以及光学模组、通讯终端、汽车电子等多个产品研发、制造于一体的全产业链布局。
据官网，公司以手机独立设计业务起家。2008年，主营业务转型至ODM领域，随后ODM业务常年市占率为20%左右。2019年，公司完成对全球领先半导体IDM厂商安世半导体的收购，布局切入半导体领域。两年后，公司收购广州得尔塔，正式布局光学模组业务。
在功率半导体领域，公司全资子公司安世半导体是全球领先的分立与功率芯片制造商，深耕半导体研制超60年，产品品类丰富，主要有二极管、双极性晶体管、MOSFET器件（金氧半场效晶体管）及氮化镓场效应晶体管等，可广泛适用于全球各类电子设计中。
其中，公司100V以上MOSFET料号已超100种。而在化合物半导体产品方面，公司第二代650V 氮化镓功率器件现已通过AEQC认证测试并实现量产，新款器件性能优势明显。
据IHS Markit 2020年数据，安世半导体双极性晶体管、二极管和ESD保护器件均排名第一，汽车功率MOSFET管排名第二，多个品类产品的全球市占率均处于领先地位。
据Omdia数据，2021年，安世半导体在全球功率半导体企业中排名第八，在全球功率分立器件企业中排名第六，分别较2019年上升一位、较2020年上升三位。
2、华润微
国内功率半导体领军企业，主要从事功率半导体、智能传感器和智能控制产品的设计、生产及销售，以及为客户提供芯片设计、晶圆制造、封装测试、掩模等全产业链一体化制造服务。
公司高度重视技术研发，掌握着沟槽型SBD设计及工艺技术、MEMS工艺晶圆制造技术及IPM模块封装技术等多项达到国际领先、国内领先地位的核心技术。
在功率半导体领域，公司产品主要分为功率器件和功率IC两大类，其中包括MOSFET、IGBT、SBD及各系列电源管理芯片等，多适用于消费电子、汽车电子、新能源和工业控制等领域。
基于先进的设计技术和制造工艺，公司生产的功率器件产品具有高可靠、低开关/导通损耗等优势。据年报，截至2020年底，公司已合计拥有超1100项分立器件产品与超500项功率IC产品，是国内产品线最为全面的功率分立器件厂商之一。
得益于IDM模式的优势和较强的研发实力，公司现已建立起领先国内水平的Trench-FS工艺平台，具备600V-6500V IGBT工艺能力，在IGBT、SBD等功率器件上具有较强的产品竞争力，是目前国内少数同时拥有全部MOSFET主流器件结构研发和制造能力且可为客户提供-100V至1500V范围内低中高压全系列MOSFET产品的功率半导体厂商。
据2022半年报显示，公司先进中低高压MOSFET当前已在光伏、新能源汽车及充电桩领域实现了规模化销售，IGBT产品也已通过全球光伏头部客户认证并批量供应。
3、士兰微
国内IDM功率/模拟芯片龙头，成立于1997年，专注从事集成电路、半导体分立器件及LED等电子产品的设计、制造和销售，主要产品品类包括功率器件、模拟电路、MCU、LED芯片等。
成立早期，公司主要从事模拟电路设计。2001年，公司开始切入硅芯片制造业务，成为IDM模式的半导体企业。此后近20年，公司业务领域逐步拓展至LED、IPM和IGBT等板块。
2017年起，公司与厦门半导体投资集团共同投资建设12寸特色工艺晶圆产线及先进化合物半导体器件产线，第一条产线于2020年底投产，公司成为国内率先布局12寸晶圆产线的IDM企业。
据年报，公司当前业务布局以功率分立器件及模块为主，功率器件产品已覆盖至MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块（PIM）、IPM模块等众多品类，且部分产品性能已达行业领先水平。
其中，在IPM领域，公司打造了以IPM为核心的完整解决方案，系列产品已覆盖至20W-3000W功率段，可广泛应用于冰箱、空调、变频器、风机、水泵等领域。受益于全球芯片短缺，公司凭借产能优势迅速上量，目前已获得海尔、美的、格力、海信等主流家电企业的认可。
在IGBT、超级结MOSFET等领域，公司积极布局，研发技术实力较强，已成功推出了基于自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块。
目前，公司车规IGBT模块已通过国内多家客户测试，并已实现批量供货。
4、扬杰科技
国内老牌功率半导体企业，成立于2006年，主营功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等业务，拥有各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC、功率二极管等丰富的产品线，是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、销售与服务于一体的IDM厂商。
据官网，公司前身为扬杰投资，主营电子元器件贸易业务。2006年，公司设立桥堆二极管产线，业务转向产业链上游，主要产品包括整流二极管、快恢复二极管、光伏二极管等多个品种。
据芯谋研究数据，2019年，公司在国内功率二极管市场的市占率为13.5%，排名行业第一；整流桥全球市场市占率达20.5%，排名前列，行业领先优势明显。
2017年，公司开始切入功率器件中高端领域，布局IGBT和MOSFET器件研发生产。当前，公司MOSFET、IGBT系列产品开发、验证进展顺利，已实现多款中低压沟槽功率MOSFET产品的量产，掌握了SGT MOS技术，产品性能和良率均达到国内最优水平。
其中，公司车规级MOSFET系列产品现已实现批量供货，车规级IGBT正持续推进客户认证；光伏逆变器用IGBT也已实现小批量生产供货。
公司重视研发创新，坚信研发驱动企业长期成长。2021年，公司在研发上投入费用2.42亿元，同比增长84.73%，研发投入占比达5.5%。
而通过较高力度的研发投入，公司产品持续迭代更新，在发展中高端MOSFET、IGBT芯片及器件的同时，面向功率器件高端领域，前瞻布局加强SiC、GaN等第三代半导体相关技术的研发，当前已实现650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD、SiC模块等全系列产品的市场推出。
5、斯达半导
国产IGBT龙头，成立于2005年，专注于从事IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试，产品可广泛应用于新能源、工业控制、新能源汽车和白色家电等领域。
据官网，成立之初，公司即专注IGBT模块的开发。2007年，公司完成了IGBT模块关键技术工艺的开发，成功推出了第一款IGBT模块。之后，为实现核心芯片自主供应，公司自主研发出了平面栅NPT型IGBT芯片，并于2012年成功实现量产。
据Omdia数据，2020年，公司IGBT模组收入在全球占比2.8%，排名第六，是国内唯一进入世界前十的IGBT公司。
在车规级IGBT方面，得益于公司较早的布局新能源汽车领域，其车规级IGBT模块持续放量，当前配套车型已实现A00级到B+级的覆盖。
而通过与华虹半导体合作，公司于2021年率先成功研发出了基于第七代微沟槽技术的新一代车规级650V/750V/1200V IGBT芯片，并于2022年实现批量出货，技术水平大幅领先市场。
据统计数据显示，2022年第一季度，公司在车规级IGBT市占率约为16.4%，排名国产品牌第一，仅次于龙头英飞凌（全球头部半导体企业之一）的22.9%。
在光伏IGBT方面，公司也已较早步入，自主IGBT芯片开发的分立器件以及配套快恢复二极管芯片的模块和分立器件已获得行业内主流光伏逆变器客户的达批量装机应用。
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