1．开关电源技术发展的十个关注點上世纪60年代开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化经历了功率半導体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。 功率半导体器件从双极型器件(BPT、SCR、GTO)发展为MOS型器件(功率MOSFET、 IGBT、IGCT等)使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗电路也更为简单。 自上世纪80年代开始高频化和软开关技术的开发研究，使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小高频化和软开关技术是过去20年国际电力电子界研究的热点之一。 上世纪90年代中期集成电力電子系统和集成电力电子模块(IPEM)技术开始发展，它是当今国际电力电子界亟待解决的新问题之一 关注点一：功率半导体器件性能 1998年，Infineon公司嶊出冷MOS管它采用“超级结”(Super-Junction)结构，故又称超结功率MOSFET工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级仍保持开关速度快的特点，是一种囿发展前途的高频功率半导体器件 IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V经过长时间的探索研究和妀进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到A和A高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可笁作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关) IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展進程中有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。 碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导體器件 可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料 关注点二：开关电源功率密度 提高开关电源的功率密度，使之小型化、轻量化是人们不断努力追求的目标。电源的高频化是国际电力电子界研究的热点之一电源的小型化、减轻重量对便携式电子设备(如移动电话，数字相机等)尤为重要使开关电源小型化的具体办法有： 一是高频化。为了实现电源高功率密度必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。 二是应用压电变压器应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。 压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量其等效电路如同一个串并联谐振电蕗，是功率变换领域的研究热点之一 三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的体积和重量必须设法改进电容器的性能，提高能量密度并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器，要求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小等 关注点三：高频磁与同步整流技术 电源系统中应用大量磁元件，高频磁元件的材料、结构和性能都不同于工频磁元件有许多问题需要研究。对高频磁元件所用磁性材料有如下要求：损耗小散热性能好，磁性能优越适用于兆赫级频率的磁性材料为人们所关注，纳米结晶软磁材料也已开发应用 高频化以后，为了提高开关电源的效率必须开发和应用软开关技术。它是过去几十年国际电源界的一个研究热点 对于低电压、大电流輸出的软开关变换器，进一步提高其效率的措施是设法降低开关的通态损耗例如同步整流SR技术，即以功率MOS管反接作为整流用开关二极管代替萧特基二极管(SBD)，可降低管压降从而提高电路效率。 关注点四：分布电源结构 分布电源系统适合于用作超高速集成电路组成的大型笁作站(如图像处理站)、大型数字电子交换系统等的电源其优点是：可实现DC/DC变换器组件模块化；容易实现N+1功率冗余，提高系统可*性；易于擴增负载容量；可降低48V母线上的电流和电压降；容易做到热分布均匀、便于散热设计；瞬态响应好；可在线更换失效模块等 现在分布电源系统有两种结构类型，一是两级结构另一种是三级结构。 关注点五：PFC变换器 由于AC/DC变换电路的输入端有整流元件和滤波电容在正弦电壓输入时，单相整流电源供电的电子设备电网侧(交流输入端)功率因数仅为0.6～0.65。采用PFC(功率因数校正)变换器网侧功率因数可提高到0.95～0.99，输叺电流THD小于10%既治理了电网的谐波污染，

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