高电源抑制比带隙基准电压源的设计--《半导体技术》2007年11期
高电源抑制比带隙基准电压源的设计
【摘要】：提出一种采用0.25μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计。设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿。使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25~125℃和电源电压变化范围为4.5~5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10-6V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TN432【正文快照】：
1引言精确的基准电压源在A/D、D/A、比较器、电源管理芯片以及其他模拟电路中是十分重要的。对于基准电压源,要求其能克服工艺、电源、温度以及负载变化而保持稳定,并能在标准工艺下制造。能产生基准源的技术很多,如带隙基准源[1]、稳压管、VBE基准源、热电压VT基准源[2]以及
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京公网安备75号低功耗CMOS带隙基准电压源的设计--《宇航计测技术》2004年06期
低功耗CMOS带隙基准电压源的设计
【摘要】：设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0
6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃～ 15 0℃和4
5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0
13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TN432【正文快照】：
1　引　言基准电压发生器 (BGR)被广泛应用于集成传感器、比较器、A/D转换器以及其它模拟电路中。对于基准电压源 ,要求其输出相对于工艺、电源电压以及温度的变化有很高的稳定性 ,并且能用标准工艺制造。在CMOS技术中“带隙基准”被公认为是最成功、应用最广泛的基准电压技术
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